Lithographie par extrêmes UV dans la fabrication de processeurs
Par Benje le vendredi, mars 14 2008, 09:33 - Nouvelles Scientifiques - Lien permanent
Nouvelle d'origine sur Techno-Science.net
Source: BE Etats-Unis numéro 114 (10/03/2008) - Ambassade de France aux Etats-Unis / ADIT -
Le département de recherche du fabricant de processeurs Advanced Micro Devices (AMD), a annoncé la réalisation d'un processeur en intégrant au flot de fabrication la lithographie par faisceau d'extrêmes UV (EUV, de longueur d'onde 15 nm) sur la première couche de métal pour réaliser la connectique sur toute la puce et ce, en collaboration avec IBM et leurs partenaires du "College for Nanoscale Science and Engineering" de l'université d'Albany (NY). D'autres projets utilisaient déjà la lithographie EUV mais sur des très petites surfaces.
La lithographie EUV diffère des autres procédés classiques de photolithographie car elle utilise une série de miroirs de précision rétrécissant situés dans le chemin optique après un masque en réflexion, sur lequel est dessiné le motif du circuit à graver. Cela permet d'atteindre une résolution inférieure à la centaine de nanomètres, alors que la lithographie UV ne peut généralement descendre en résolution en dessous des 200nm.
La lithographie EUV va devenir un outil de choix à moyen terme pour réduire la résolution de gravure des puces électroniques. Le résultat publié par AMD montre une intégration réussie de la lithographie EUV "plein champ" dans le procédé de fabrication du composant sur une surface de 22mm x 33mm, avec une résolution de 45nm pour la connectique, ce qui est une première sur une telle surface. Cette démonstration du potentiel de la lithographie EUV utilisée dans la fabrication de processeurs est très encourageante, même s'il reste encore beaucoup de chemin avant de pouvoir intégrer la lithographie EUV dans les chaînes de production industrielles de processeurs.
Le département de recherche du fabricant de processeurs Advanced Micro Devices (AMD), a annoncé la réalisation d'un processeur en intégrant au flot de fabrication la lithographie par faisceau d'extrêmes UV (EUV, de longueur d'onde 15 nm) sur la première couche de métal pour réaliser la connectique sur toute la puce et ce, en collaboration avec IBM et leurs partenaires du "College for Nanoscale Science and Engineering" de l'université d'Albany (NY). D'autres projets utilisaient déjà la lithographie EUV mais sur des très petites surfaces.
La lithographie EUV diffère des autres procédés classiques de photolithographie car elle utilise une série de miroirs de précision rétrécissant situés dans le chemin optique après un masque en réflexion, sur lequel est dessiné le motif du circuit à graver. Cela permet d'atteindre une résolution inférieure à la centaine de nanomètres, alors que la lithographie UV ne peut généralement descendre en résolution en dessous des 200nm.
La lithographie EUV va devenir un outil de choix à moyen terme pour réduire la résolution de gravure des puces électroniques. Le résultat publié par AMD montre une intégration réussie de la lithographie EUV "plein champ" dans le procédé de fabrication du composant sur une surface de 22mm x 33mm, avec une résolution de 45nm pour la connectique, ce qui est une première sur une telle surface. Cette démonstration du potentiel de la lithographie EUV utilisée dans la fabrication de processeurs est très encourageante, même s'il reste encore beaucoup de chemin avant de pouvoir intégrer la lithographie EUV dans les chaînes de production industrielles de processeurs.