Source: BE Japon numéro 478 (7/04/2008) - Ambassade de France au Japon / ADIT -

JSR Corporation, en partenariat avec le centre de recherche belge IMEC et le Centre de la Microélectronique Interuniversitaire, a créé un matériau lithographique innovant ouvrant la voie à l'élaboration de CMOS en finesse de gravure de 22 nm (nanomètres). La méthode la plus prometteuse pour obtenir cette finesse de gravure est le "double-patterning" qui emploie un double motif sur deux matériaux différents. Le matériau fabriqué par JSR, grâce à des propriétés réfrigérantes, améliore cette méthode de fabrication en empêchant le premier matériau photorésistant de se mélanger avec le solvant du second.

Les 22 nm sont l'étape qui suit la finesse de gravure en 32 nm et représentent la dernière évolution avant la transition vers la nano-électronique qu'apportera la technologie 16 nm. Parmi les différentes méthodes permettant d'atteindre cette finesse de gravure (22 nm représentera la longueur du demi-pas typique d'une cellule mémoire), la technologie lithographique de gravure la plus prometteuse est celle du double-motif ("double patterning" en anglais) qui peut être de deux types: double exposition avec double gravure ou bien double exposition avec simple gravure. Les deux expositions servent à obtenir une finesse de gravure très précise mais nécessitent un matériau photorésistant capable de maintenir de manière stable un motif pendant l'exposition qui ne lui est pas destinée.

C'est là que le nouveau matériau congelant intervient en durcissant la surface d'un des deux matériaux photorésistants impliqués pour améliorer la qualité des motifs obtenus. JSR Corporation dit avoir développé le nouveau matériau pour le processus à double exposition avec simple gravure pour obtenir un pas plus fin.

Rappelons que, d'après les prévisions, la technologie 22 nm apparaîtra dans l'industrie entre 2011 et 2012. JSR Corporation est convaincu que son nouveau matériau s'imposera comme un incontournable des procédés lithographiques qui seront utilisés à ce moment-là.