Source: BE Israël numéro 76 (13/12/2011) - Ambassade de France en Israël / ADIT - http://www.bulletins-electroniques.com/ ... /68504.htm

Il est difficile de grandir, surtout pour un nanofil minuscule: en l'absence de support ou d'orientation, ces nanofils croissent de manière désordonnée, ce qui rend leur potentiel en tant que semi-conducteurs difficile à exploiter.

Le professeur Ernesto Joselevich, de la Faculté de Chimie de l'Institut Weizmann en Israël, a trouvé un moyen de produire des nanofils semi-conducteurs, non pas verticalement, mais horizontalement sur une surface ; cette technique offre, pour la première fois, l'orientation indispensable pour produire méthodiquement des nanofils relativement longs et alignés. Comme les semi-conducteurs possédant des structures contrôlées sont au cœur des technologies les plus avancées, ces nouveaux travaux pourraient permettre la production de nanostructures semi-conductrices avec des propriétés électroniques et optiques améliorées, adaptées à un large éventail d'applications: diodes électroluminescentes, lasers, supports de stockage d'information, transistors, ordinateurs, cellules photovoltaïques, et plus encore.

Le Professeur Joselevich, son étudiant en thèse David Tsivion et le chercheur postdoctoral Mark Schvartzman, du Département des Matériaux et Interfaces, ont synthétisé des nanofils de nitrure de gallium (GaN) en utilisant une méthode qui produit habituellement des nanofils verticaux avec d'excellentes propriétés optiques et électroniques. Ces fils verticaux ne deviennent désordonnés qu'une fois qu'ils sont collectés et dispersés sur un substrat. Pour contourner ce problème, les scientifiques ont utilisé le saphir comme une base sur laquelle croissent les nanofils. Mais plutôt que de les faire pousser sur une surface lisse, ils ont délibérément taillé le saphir le long de différents plans du cristal, produisant ainsi différents motifs de surface: "marches" de dimension nanométriques, et sillons en V, en forme d'accordéon.

Leurs résultats, publiés récemment dans Science, montrent que les marches et les rainures à la surface du saphir ont un fort effet directeur, forçant les nanofils à croître horizontalement le long du bord des marches ou à l'intérieur des sillons. Ils ont pu produire ainsi des réseaux de nanofils bien alignés, atteignant des longueurs d'un millimètre - alors que les méthodes de production actuelles sur des surfaces lisses génèrent des nanofils désordonnés, longs de quelques micromètres uniquement.

Selon Joselevich, "Il a été surprenant de découvrir que les propriétés optiques et électroniques de nos nanofils sont tout aussi bonnes - sinon meilleures - que celles des nanofils croissant verticalement, car synthétiser un semi-conducteur sur une surface génère en général des défauts qui dégradent ses propriétés."

Les scientifiques n'ont pas encore totalement compris comment une méthode qui produit normalement des nanofils verticaux permet de générer aussi des nanofils horizontaux. Cela dit, Joselevich et son équipe ont réussi à combiner, en une seule étape, la synthèse et l'assemblage de nanofils bien structurés, possédant des propriétés optiques et électroniques convenant à un large éventail d'applications.